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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。283710+￥11.8428100+￥11.2507500+￥10.85591000+￥10.83622000+￥10.75725000+￥10.65857500+￥10.579610000+￥10.5401 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 引脚97295+￥5.896825+￥5.460050+￥5.1542100+￥5.0232500+￥4.93582500+￥4.82665000+￥4.783010000+￥4.7174 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R44495+￥19.802350+￥18.9560200+￥18.4821500+￥18.36361000+￥18.24522500+￥18.10985000+￥18.02517500+￥17.9405 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。920010+￥8.2932100+￥7.8785500+￥7.60211000+￥7.58832000+￥7.53305000+￥7.46397500+￥7.408610000+￥7.3809 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。398510+￥6.0084100+￥5.7080500+￥5.50771000+￥5.49772000+￥5.45765000+￥5.40767500+￥5.367510000+￥5.3475 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R14841+￥50.233510+￥47.3513100+￥45.2102250+￥44.8808500+￥44.55141000+￥44.18082500+￥43.85145000+￥43.6455 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道固支20A - D2PAK / I2PAK内部钳位的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT23395+￥30.251550+￥28.9587200+￥28.2348500+￥28.05381000+￥27.87282500+￥27.66595000+￥27.53667500+￥27.4074 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed66115+￥5.003125+￥4.632550+￥4.3731100+￥4.2619500+￥4.18782500+￥4.09515000+￥4.058110000+￥4.0025 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGB20NB41LZ 系列 N-沟道 442 V 20 A 内部钳位 PowerMESH IGBT-D2PAK507510+￥6.5148100+￥6.1891500+￥5.97191000+￥5.96102000+￥5.91765000+￥5.86337500+￥5.819910000+￥5.7982 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。753010+￥8.2404100+￥7.8284500+￥7.55371000+￥7.54002000+￥7.48505000+￥7.41647500+￥7.361410000+￥7.3340 -
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品类: IGBT晶体管描述: 30 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT15595+￥23.747550+￥22.7326200+￥22.1643500+￥22.02221000+￥21.88022500+￥21.71785000+￥21.61637500+￥21.5148 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 600V 25A 80W D2PAK82945+￥5.612025+￥5.196350+￥4.9053100+￥4.7806500+￥4.69742500+￥4.59355000+￥4.551910000+￥4.4896 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 380V 40A 176000mW Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R718910+￥10.6476100+￥10.1152500+￥9.76031000+￥9.74262000+￥9.67165000+￥9.58287500+￥9.511910000+￥9.4764 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R56915+￥4.669725+￥4.323850+￥4.0816100+￥3.9779500+￥3.90872500+￥3.82225000+￥3.787610000+￥3.7357 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道固支20A - D2PAK内部钳位的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT5252 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Npt 600V 31A 139W To263-3 - Skb15n60 E8151978910+￥11.8596100+￥11.2666500+￥10.87131000+￥10.85152000+￥10.77255000+￥10.67367500+￥10.594610000+￥10.5550 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R54285+￥6.563725+￥6.077550+￥5.7372100+￥5.5913500+￥5.49412500+￥5.37255000+￥5.323910000+￥5.2510 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 9.6A 3Pin(2+Tab) TO-26372245+￥14.162950+￥13.5576200+￥13.2187500+￥13.13391000+￥13.04922500+￥12.95245000+￥12.89187500+￥12.8313 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, NPT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚185710+￥7.6728100+￥7.2892500+￥7.03341000+￥7.02062000+￥6.96955000+￥6.90557500+￥6.854410000+￥6.8288 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3Pin(2+Tab) TO-263257710+￥9.0672100+￥8.6138500+￥8.31161000+￥8.29652000+￥8.23605000+￥8.16057500+￥8.100010000+￥8.0698 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed85065+￥16.168250+￥15.4773200+￥15.0903500+￥14.99361000+￥14.89692500+￥14.78635000+￥14.71727500+￥14.6481 -
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品类: IGBT晶体管描述: 在NPT技术的快速IGBT具有柔软，快速恢复反并联二极管EMCON Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode37315+￥5.856325+￥5.422550+￥5.1188100+￥4.9887500+￥4.90192500+￥4.79355000+￥4.750110000+￥4.6850 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3Pin(2+Tab) D2PAK26595+￥14.731550+￥14.1019200+￥13.7494500+￥13.66121000+￥13.57312500+￥13.47245000+￥13.40947500+￥13.3465 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3Pin(3+Tab) TO-220AB61305+￥28.070650+￥26.8710200+￥26.1993500+￥26.03131000+￥25.86342500+￥25.67145000+￥25.55157500+￥25.4315 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 600V 60A 220W To26363735+￥33.257350+￥31.8360200+￥31.0401500+￥30.84111000+￥30.64222500+￥30.41485000+￥30.27267500+￥30.1305 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1000V 16A 54000mW 3Pin(2+Tab) TO-263AA41091+￥99.040310+￥94.7342100+￥93.9591250+￥93.3562500+￥92.40891000+￥91.97832500+￥91.37545000+￥90.8587 -
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品类: IGBT晶体管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXGA30N60C3C1 IGBT Single Transistor, SIC, 60A, 3V, 220W, 600V, TO-263, 3Pins25405+￥12.499150+￥11.9650200+￥11.6658500+￥11.59111000+￥11.51632500+￥11.43085000+￥11.37747500+￥11.3240
